SSD накопитель Samsung 850 EVO MZ-75E500B

Описание SSD накопитель Samsung 850 EVO MZ-75E500B

Купить Samsung 850 EVO MZ-75E500B в Киеве и Харькове

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков - для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения ячеек друг над другом в 32 слоя без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную. Купить Samsung 850 EVO MZ-75E500B в Киеве и Харькове по низкой цене.

Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи с технологией TurboWrite от компании Samsung. По сравнению с серией 840 EVO, накопители серии 850 EVO показывают на 13% более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной скоростью чтения/записи, обеспечивая результат в 540/520 млн байт/сек.

Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х раз по сравнению с обычным режимом.

Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективности при операциях записи.